二维反铁磁拓扑绝缘体中的量子几何特性

报告人

高安远 副教授

上海交通大学李政道研究所

时间

2025年4月10日（星期四）上午10：00

地点

物质科学教研楼B902会议室

报告摘要

在量子世界中，量子几何定义了两个量子态之间的相位和幅值的差值。其中，量子态的相位差由我们熟知的Berry curvature所描述，而量子态的振幅差则由quantum metric所描述。通过对Berry curvature的研究，成功的解释了反常霍尔效应和拓扑量子现象等。那么quantum metric是否也可以产生有趣的量子现象呢？基于此问题，近几年quantum metric象也逐渐受到了科研界的关注。二维材料的出现，更是为我们探测和调控量子几何效应提供了新的途径。本次报告，我将以二维反铁磁拓扑绝缘体MnBi₂Te₄为例，讲述2个二维层状材料中的量子几何效应引起的有趣量子现象。

1. Layer Hall effect：层分布的Berry curvature引起的反常霍尔效应；

2. Quantum metric nonlinear Hall effect：Quantum metric引起的非线性霍尔效应。

参考文献：

[1] Anyuan Gao, et al. Nature, 595 521-525 (2021)

[2] Anyuan Gao, et al. Science 381, 181-186 (2023)

[3] Anyuan Gao, et al. Nat. Electron. 7, 751-759 (2024)