| 报告人简介 | 吴梦昊, 2007年本科毕业于南京大学, 2011年博士毕业于内布拉斯加大学林肯分校, 之后三年分别在弗吉尼亚联邦大学和麻省理工学院从事博士后研究, 2014年底成为华中科技大学物理学院教授, 目前主要研究方向为二维铁电/多铁体的理论计算, 以第一作者或通讯作者发表文章约30篇, 其中J.Am.Chem.Soc. 3篇, Nano Lett. 5篇, ACS Nano 2 篇, 2篇入选ESI热点论文。 |
报告摘要 | 具有高迁移率的二维材料有望取代硅材料成为新一代电路基本材料, 但要使其兼具信息非易失性记忆功能则需要加入铁性(铁磁, 铁电, 铁弹)，也有望解决硅基内存进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热问题。目前的多数铁磁性二维材料居里温度难以达到室温,而二维材料的铁电性和铁弹性在最近几年才开始有相关研究。自2013年预测出第一个二维范德华铁电体以来，报告人通过第一性原理计算已陆续设计出一系列二维铁电/多铁体，大部分不但同时是高迁移率半导体，且在低维仍具有较高居里温度, 因而有望绕开铁磁性二维材料面临的问题。相比传统铁电体，二维铁电体有望和半导体电路更好地结合。二维版的各种多铁耦合，多铁隧穿结等器件也得到了预测，其性能甚至有望超过三维的版本。 |
