在本报告中,我将介绍第一性原理计算和半经典玻尔兹曼输运理论相结合的方法来深入探讨了一系列材料的磁输运现象,特别是磁阻效应和霍尔效应。首先我们将阐述传统的洛伦兹力和材料的费米面形状在体材料的磁电输运中起到至关重要的作用;其次,我们还探讨了窄隙半导体如ZrTe5中的异常电阻峰值和霍尔电阻率符号反转问题,强调了多载流子动力学和费米面几何的重要性;最后,我们将介绍贝利曲率和洛伦兹力共同作用导致的负磁阻等现象和在Co3Sn2S2中的应用。最终,我们提出了一种新的方法来解释复杂的磁输运行为,为理解和预测广泛材料中的磁输运性质提供了坚实的理论基础。 参考文献: [1] PRB 99, 035142 (2019). [2] arXiv:2401.151503 (2024). [3] arXiv:2401.15146 (2024). [4] arXiv:2401.15151 (2024). [5] WannierTools CPC 224,405 (2018).
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