题目

关于单层MoSe₂中一维镜面畴界之电子态的空间调制问题

报告人

Prof. Maohai Xie (谢茂海)

Hong Kong University

时间

2021年3月16日（星期二）下午3：00

地点

物质科研楼B902会议室

谢茂海教授现就职于香港大学物理系。他1985年毕业于天津大学电子工程系，1988年获得中科院半导体所硕士学位，1994年伦敦大学帝国理工学院博士学位。经历了2年多于伦敦大学帝国理工学院的博士后研究后，于1997年加入香港大学物理系，先后任职为助理教授、副教授、教授，并于2017年1月至2019年12月任系主任。他也曾任香港物理学会副主席、主席。谢教授的科研兴趣为材料于表面物理，尤其是薄膜材料的分子束外延生长及其表面原子结构和电子性质进行电子衍射、扫描隧穿显微镜、及光电子能谱的表征。近年来，他着重于二维材料(如MoSe₂, WSe₂, MoTe₂等)的外延生长和性质研究，并已发表科技论文 150多篇。

报告摘要

大量实验表明，在外延的MoSe₂单层薄膜中会自发形成大量的镜面畴界，而该畴界表现为一维金属，其低能激发态呈现出一系列奇特物性。其中一个比较明显的实验特征为空间电荷周期调制，其起源在文献中已提出不同的建议，如量子限制效应、电荷密度波、Moiré效应、 Luttinger液体等等。我们通过选择不同衬底进行MoSe₂薄膜外延生长、通过调节生长条件控制MoSe₂薄膜中镜面畴界的长度，并对其进行细致的低温扫描隧穿电镜及谱的测量，从而确立一维畴界之电子金属态的量子限制效应和Friedel震荡是实验上观测到的空间电荷调制的主要原因，而且，在石墨或石墨烯上的MoSe₂畴界，其低能激发态与Luttinger液体行为一致，而在金衬底上的同类畴界更像费米液体。